SK hynix планирует масштабно увеличить производство 10-нм DRAM шестого поколения (1c DRAM), ориентируясь на растущий спрос на энергоэффективную память для систем искусственного интеллекта. Уже в 2025 году объёмы выпуска вырастут с текущих 20 000 до 160 000–190 000 пластин в месяц, что составит более 30% от всей DRAM-программы компании.
Компания сосредоточит усилия на производстве GDDR7 и SoCAMM2, модулей, предназначенных для GPU и CPU-серверов нового поколения, включая решения от NVIDIA. Новое поколение ускорителей, таких как Rubin CPX, уже использует GDDR-память вместо HBM, что требует поставок высокоскоростной, но более доступной DRAM. Кроме того, модуль SoCAMM2 будет использоваться рядом с CPU NVIDIA Vera и предложит высокую энергоэффективность при умеренной пропускной способности.
SK hynix также продолжит развивать производство 1b DRAM для HBM4, которое стартует на новом заводе M15X. Эта стратегия отражает переход отрасли от фокусировки на AI-обучении к масштабируемому AI-инференсу, где в приоритете не HBM, а производительная и экономичная DRAM.
Таким образом, SK hynix занимает агрессивную позицию в развитии новых стандартов памяти для AI, планируя вложения, которые могут превысить 30 триллионов вон в 2026 году. Это позволит укрепить позиции компании как ключевого поставщика как в сегменте HBM, так и в области передовой стандартной DRAM.