Samsung, SK Hynix и Micron приступили к совместной разработке оперативной памяти стандарта DDR6, коммерциализация которой запланирована на период с 2028 по 2029 год. В условиях стремительного роста индустрии искусственного интеллекта потребность в высокоскоростной памяти с большой емкостью заставляет производителей ускорять создание новых технологий. Представители индустрии субстратов подтверждают, что первоначальная фаза разработки уже стартовала, поскольку подобные совместные проекты традиционно начинаются за два года до официального релиза продукта на рынок.
Ожидается, что базовая скорость передачи данных модулей DDR6 превысит показатели текущего поколения вдвое и достигнет 8.4 Gbps, а по мере развития техпроцесса этот показатель возрастет до 17.6 Gbps и выше. Новая память получит многоканальную архитектуру, включающую четыре 24-битных подканала на каждый модуль, что значительно снизит задержки и повысит пропускную способность. Напряжение питания будет снижено, что сделает DDR6 более энергоэффективной по сравнению с DDR5, которая в настоящий момент занимает более 80% доли рынка серверной памяти.
Массовое внедрение стандарта DDR6 в первую очередь затронет центры обработки данных и системы машинного обучения, где дефицит компонентов памяти ощущается наиболее остро. Организация JEDEC уже представила предварительные спецификации для родственного стандарта LPDDR6, обеспечивающего емкость до 512 GB при низком энергопотреблении. Потребительский сегмент получит доступ к технологиям DDR6 примерно через один или два года после того, как производители полностью удовлетворят спрос со стороны корпоративных клиентов и дата-центров.