Общество полупроводниковой инженерии опубликовало масштабную дорожную карту, которая описывает развитие электроники на ближайшие 15 лет. Главный прогноз — индустрия перейдет от нынешних нанометров к ангстремам (0,1 нанометра). Это означает, что компоненты внутри процессоров уменьшатся еще в 10 раз. К 2040 году ожидается появление чипов, созданных по технологии 0,2 нм. Чтобы это стало возможным, инженеры перейдут на новую конструкцию транзисторов и начнут строить микросхемы «этажами» в виде сложных 3D-структур.
Кардинальные изменения коснутся и памяти. Современная видеопамять высокой пропускной способности (HBM) эволюционирует: скорость передачи данных вырастет с текущих 2 ТБ/с до невероятных 128 ТБ/с. Количество слоев в такой памяти увеличится до 30 и более. В сегменте обычной флеш-памяти (NAND), которая используется в SSD и смартфонах, также ожидается прорыв. Вместо современных 300 слоев инженеры планируют достичь отметки в 2000 слоев, что позволит хранить колоссальные объемы информации на чипах прежнего размера.
Развитие искусственного интеллекта станет основным двигателем этих инноваций. Мощность чипов для обучения нейросетей должна вырасти в 10 раз, при этом энергопотребление значительно снизится. Технологический план также включает развитие квантовых вычислений и замену медных соединений внутри чипов на оптические (световые). Этот документ станет ориентиром для гигантов индустрии, таких как Samsung и Intel, при планировании производства и разработке новых устройств вплоть до 2040 года.