SK hynix показала планы на HBM5, GDDR7-next, DDR6 и 400+ слойную NAND после 2029 года
На саммите SK AI Summit 2025 компания SK hynix представила расширенную дорожную карту развития памяти на годы вперёд. Ключевые этапы разделены на два периода: 2026–2028 и 2029–2031, включая как классические DRAM и NAND, так и специализированные решения для ИИ.
В 2026–2028 годах ожидаются HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi, а также индивидуальные конфигурации HBM, где контроллер и протоколы перенесены в базовую кристаллическую подложку — это позволяет GPU и ASIC-чипам увеличивать площадь под вычисления и снижать энергопотребление. Компания работает над этими решениями в партнёрстве с TSMC.
Также будут представлены LPDDR5X SOCAMM2, MRDIMM Gen2, LPDDR5R и второе поколение CXL LPDDR6-PIM. SSD-решения включают PCIe Gen5 eSSD до 245 ТБ, PCIe Gen6, UFS 5.0 и специализированную NAND для ИИ (AI-N).
Во втором этапе (2029–2031) SK hynix начнёт выпуск HBM5 и HBM5E, решений GDDR7-next (преемник GDDR7) и DDR6. Появится также трёхмерная DRAM и 4D NAND с более чем 400 слоями. Особое внимание уделяется высокоскоростной NAND (HBF), которая будет задействована в ИИ-инференсе и ПК следующего поколения.
