Samsung готовит технологию "SAINT" для следующего поколения памяти HBM4
Samsung планирует запустить новейшие 3D-технологии упаковки "SAINT" в следующем году, ориентированные на производство HBM4 памяти следующего поколения. Корейский гигант стремится доминировать в индустрии искусственного интеллекта благодаря новым передовым предложениям. Ожидается, что 3D-упаковка будет готова к 2025 году, в преддверии дебюта стандарта HBM4 в 2026 году.
Технология 3D-упаковки от Samsung является преемником метода 2.5D. Вместо использования кремниевого интерпозера для соединения HBM и GPU, компания сосредоточилась на вертикальной интеграции, размещая чиплеты друг на друге. Эта платформа называется SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology) и подразделяется на три типа: SAINT-S, SAINT-L и SAINT-D. Каждый из них работает с различными типами чипов, такими как SRAM, логика и DRAM.
Вертикальная упаковка обеспечивает несколько преимуществ по сравнению с традиционными методами. Уменьшая расстояние между чиплетами, она ускоряет передачу данных. Также вертикальная упаковка снижает углеродный след, что является дополнительным преимуществом для широкого внедрения этой технологии.
Технология была представлена на Samsung Foundry Forum 2024 в Сан-Хосе, Калифорния. Это первое публичное представление технологии, совпадающее с анонсами NVIDIA и AMD их аппаратного обеспечения для ИИ следующего поколения. Ожидается, что 3D-упаковка будет использоваться с HBM4, и дебютирует вместе с архитектурой Rubin от NVIDIA и ускорителями AMD Instinct MI400.
Samsung также планирует выпустить технологию "all-in-one heterogeneous integration" к 2027 году. Эта технология позволит создать единый пакет ИИ без необходимости использовать отдельные методы упаковки. После Apple и Intel, которые приняли SOC-центричный подход для своих дизайнов, таких как процессоры Lunar Lake, AMD также активно занимается вертикальной упаковкой с уникальными стеками HBM, MCD и 3D V-Cache. Интересно будет увидеть, какое место займет Samsung в будущем, поскольку компания явно намерена сыграть доминирующую роль.