NEO Semiconductor представила 3D X-DRAM с плотностью до 512 Гбит на чип
Разработчики из NEO Semiconductor предложили радикально иной подход к архитектуре оперативной памяти, представив два новых типа ячеек — 1T1C и 3T0C, оба в рамках собственной платформы 3D X-DRAM. Эти конструкции призваны решить проблемы масштабирования классической DRAM и обеспечить многократный прирост плотности хранения — до 64 ГБ на один микрочип, что примерно в десять раз выше современных стандартов.
Вариант 1T1C использует привычную пару "транзистор + конденсатор", тогда как 3T0C обходится вообще без конденсаторов, опираясь только на транзисторы. Это открывает возможности для создания памяти с вертикальной компоновкой, аналогичной 3D NAND. За счёт этой схемы можно не только увеличить количество ячеек на пластине, но и существенно снизить потребление энергии и упростить техпроцесс.
Главной особенностью этих решений стало применение материала IGZO — оксид индия, галлия и цинка, ранее известного в сфере дисплеев. Его использование в памяти обеспечивает высокую стабильность при чтении и записи с задержкой около 10 нс, а также сохраняет данные без обновления дольше обычного — до 9 минут. Это значительное улучшение по сравнению с типичной DRAM, требующей частых циклов регенерации.
Конструкции ячеек адаптированы под современные линии выпуска флеш-памяти, что позволяет запускать производство без глубоких изменений на заводах. Появление первых опытных чипов ожидается в 2026 году, и уже сейчас технология вызывает интерес благодаря заявленной плотности и компактности.
Разработчики делают ставку на то, что такие модули смогут заменить DRAM в широком спектре устройств — от ноутбуков и смартфонов до серверов и ИИ-систем, где важны быстродействие и энергоэффективность. Технология может стать прорывом в сегменте, если её удастся масштабировать до массового производства.
