SanDisk и SK hynix создают новый стандарт High Bandwidth Flash — гибрид NAND и HBM
SanDisk и SK hynix подписали меморандум о взаимопонимании, положив начало разработке нового стандарта памяти High Bandwidth Flash (HBF). Эта технология, основанная на NAND-памяти, интегрируется в HBM-подобные упаковки, предлагая уникальное сочетание высокой ёмкости, энергоэффективности и пропускной способности. Главная цель — создать новый класс памяти для ускорения работы AI-моделей и снижения затрат на инфраструктуру.
В отличие от традиционной HBM, полностью завязанной на DRAM, новая HBF использует NAND, жертвуя задержкой ради кратного увеличения объёма и энергонезависимости. Предполагается, что такие решения будут обеспечивать в 8–16 раз больше памяти при схожем уровне пропускной способности, но с меньшими затратами на охлаждение и питание. Это особенно важно в условиях, когда ИИ-инференс выходит за пределы дата-центров и сталкивается с ограничениями по тепловым пакетам.
На выставке Flash Memory Summit 2025 SanDisk представила прототип HBF, основанный на собственной BiCS NAND и технологии CBA-спайки пластин. Разработка была отмечена как «Самая инновационная технология» и сопровождается созданием технического консультативного совета, в который вошли специалисты как изнутри, так и за пределами SanDisk. Ожидается, что первые модули HBF появятся во второй половине 2026 года, а готовые AI-устройства с этой памятью — в начале 2027-го.
Инициатива SanDisk и SK hynix может привести к появлению гетерогенных стеков памяти, где DRAM, NAND и другие типы будут сосуществовать внутри одного ускорителя. Это решение может стать жизнеспособной альтернативой дорогостоящим HBM-решениям, особенно в условиях растущих требований от hyperscaler-компаний и разработчиков LLM-моделей.
