Samsung возвращает Z-NAND с 15-кратным ускорением и прямым доступом GPU
Компания Samsung представила новое поколение Z-NAND-памяти, способное обеспечить до 15 раз более высокую производительность, чем современные SSD на базе обычной NAND-флеш. При этом энергопотребление, по данным представителей компании, может сократиться до 80% по сравнению с классическими решениями. Основной упор в новой архитектуре делается на работу с ИИ-ускорителями, особенно в сфере высокопроизводительных GPU.
Ключевым новшеством стал механизм GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS) — это технология, позволяющая графическим процессорам напрямую обращаться к Z-NAND-накопителям, минуя центральный процессор и оперативную память. Такой подход кардинально снижает задержки и ускоряет доступ к данным, что особенно важно для AI-задач с большими объёмами данных и строгими требованиями к скорости отклика.
Изначально Z-NAND создавался как ответ на Intel 3D XPoint Optane, позиционируясь как сверхбыстрая и малозадерживающая альтернатива SSD. Первая версия технологии использовала SLC-режим и уменьшенные страницы размером 2–4 КБ, что повышало производительность на малых блоках данных. Новое поколение будет использовать усовершенствованный стек V-NAND с ориентацией на ускорение ИИ-вычислений и поддержку GIDS.
Если поставленные цели Samsung будут достигнуты, новое поколение Z-NAND может превзойти даже самые быстрые NVMe SSD, включая будущие решения на PCIe 6.0. Несмотря на потенциально высокую стоимость, спрос на такие накопители ожидается высоким благодаря активному росту рынка ИИ-оборудования и возрастающим требованиям к скоростям обмена данными.
