Intel раскрыла все подробности техпроцесса 18A: PowerVia, RibbonFET и +30% плотности
На симпозиуме VLSI 2025 компания Intel представила полный технический разбор 18A — своего флагманского техпроцесса класса 1.8 нм. По заявлению компании, 18A обеспечит прирост плотности транзисторов на 30%, при этом ускоряя работу чипов на 25% или снижая энергопотребление на 36% по сравнению с Intel 3. Это первый за долгое время техпроцесс Intel, способный конкурировать с передовыми узлами TSMC, включая N2.
Одним из ключевых отличий стало применение второго поколения транзисторов RibbonFET — GAA-архитектуры с полным охватом канала, позволяющей более точно контролировать параметры устройства. Также представлена технология PowerVia, перемещающая питание на заднюю сторону кристалла, что снижает просадки напряжения в 10 раз и упрощает разводку сигналов. Благодаря PowerVia достигается ещё +10% плотности, повышается теплопроводность и улучшается термостойкость схем.
Процесс Intel 18A использует две стандартные библиотеки: HP (180CH) и HD (160CH), с улучшенной SRAM-плотностью до 31.8 Мбит/мм². Применяется однопроходная EUV-литография на слоях M0–M2, что сокращает количество масок и упрощает производство. Также была подтверждена полная надёжность PowerVia по стандартам JEDEC — включая термоциклы от -55 до 125 °C и 1000 часов при 165 °C.
Первыми продуктами на базе 18A станут CPU семейства Panther Lake, чей релиз ожидается во второй половине 2025 года. Процесс оптимизирован как для клиентских, так и для датацентровых решений, но не поддерживает напряжения 1.3 В, что может ограничить его использование в некоторых HPC-нагрузках. Тем не менее, за счёт высокой энергоэффективности и гибкости дизайна Intel рассчитывает вернуть лидерство в производстве чипов уже в 2025 году.
