Samsung увеличивает выпуск оперативной памяти, переводя часть производственных мощностей с NAND на высокодоходную DRAM. Это решение связано с резким ростом глобального спроса на модули DDR5, особенно ёмкостью 96 и 128 ГБ, вызванным масштабными инвестициями в инфраструктуру искусственного интеллекта. Компания переоборудует линии на заводах в Пхёнтхэке (P1) и Хвасоне, а также завершает строительство нового завода P4, который будет полностью сосредоточен на производстве DRAM по 10-нм техпроцессу шестого поколения (1c).

По оценке отрасли, спрос на DRAM превышает возможности трёх ведущих производителей в три раза. Некоторые клиенты уже предлагают Samsung 70% надбавку к цене за поставки, но даже в этом случае не могут получить нужный объём. Дефицит может сохраниться как минимум до 2027 года, и переговоры по будущим объёмам поставок уже начались.
Сейчас DRAM выпускается на фабриках P1, P3 и в Хвасоне. Ранее эти линии работали в гибридном режиме (NAND и DRAM), но теперь Samsung сокращает долю NAND в Южной Корее, увеличивая её выпуск на китайской фабрике в Сиане. Новый объект P4 станет первой чисто DRAM-площадкой, а в его второй очереди, где изначально планировалось размещение Foundry, теперь рассматривается размещение дополнительной памяти. Это обеспечит резкий рост производственных мощностей уже в 2025 году и укрепит позиции Samsung в ключевом сегменте памяти на фоне глобального AI-бума.




