SK hynix представила UFS 4.1 на 321 слоях 4D NAND — меньше, быстрее, с прицелом на AI и SSD
Компания SK hynix анонсировала новое поколение флеш-памяти UFS 4.1, основанное на 321-слойной 4D NAND. Новое решение ориентировано на мобильные устройства, включая флагманские смартфоны, и предлагает объёмы до 1 ТБ при сниженной толщине чипов и заметном росте производительности. Появление первых устройств с такой памятью ожидается в первом квартале 2026 года, а позднее она появится и в потребительских SSD.
По данным SK hynix, новейшие чипы на 321 слоя на 15% тоньше, чем предыдущее поколение (0,85 мм против 1,00 мм). При этом они обеспечивают скорость последовательного чтения до 4300 МБ/с — на уровне NVMe SSD Gen 3 — и значительный прирост при случайных операциях: на 15% быстрее при чтении и на 40% при записи. Всё это при снижении энергопотребления на 7% и оптимизации под выполнение задач ИИ прямо на устройстве.
В отличие от текущих решений на 238 слоях, новая память оптимизирована под on-device AI и мобильные вычисления. SK hynix позиционирует UFS 4.1 как «ключевую технологию для AI-устройств». В компании подчёркивают, что чипы нового поколения обеспечивают стабильную работу локального ИИ даже в условиях ограниченных ресурсов.
Новая 321-слойная NAND также будет применяться в SSD для ПК и дата-центров. Уже в этом году SK hynix планирует представить твердотельные накопители на основе этих чипов под своим брендом и в составе OEM-продуктов, включая Adata, Kingston и Solidigm. Такая универсальность позволит фирме упрочить позиции в сегменте NAND-решений с фокусом на ИИ и высокую плотность хранения.
Хотя скорость последовательного чтения у новой UFS 4.1 не выросла по сравнению с предыдущей (обе версии — до 4,3 ГБ/с), повышение плотности, снижение толщины и увеличение скорости случайных операций делают её одной из наиболее сбалансированных NAND-платформ на рынке. При этом конкуренты, включая Samsung и Micron, также работают над своими многослойными решениями, вплоть до 400 слоёв в перспективе.
