SK hynix готовит массовый выпуск 1c DRAM с шестью слоями EUV для DDR5 и HBM нового поколения

Компания SK hynix планирует вывести на рынок 1c DRAM с применением шести слоёв литографии в экстремальном ультрафиолете (EUV), что станет новым стандартом в отрасли. Такой шаг позволит увеличить производительность, улучшить выход годных чипов и подготовить почву для внедрения более передовых технологий, включая High-NA EUV.

Традиционно в производстве DRAM применялось сочетание EUV и DUV, однако переход на шесть EUV-слоёв в 1c DRAM позволит SK hynix сократить количество многошаговых процессов, печатать более тонкие элементы и повышать надёжность производства. Ожидается, что эта технология улучшит как потребительские решения DDR5, так и высокопроизводительные HBM-стековые модули, обеспечив рост ёмкости и энергоэффективности.

Хотя 1c DRAM пока не используется в массовых потребительских продуктах, SK hynix рассматривает возможности интеграции этой архитектуры в будущие модули DDR5 с увеличенным объёмом памяти. Наибольшее влияние ожидается в сегменте HBM4, где сочетание высокой плотности, улучшенного теплового режима и оптимизированного энергопотребления сможет заметно увеличить производительность графических ускорителей и решений для искусственного интеллекта.

Долгосрочная стратегия SK hynix предусматривает дальнейшее развитие литографических процессов: для поколений 1d DRAM и 0a DRAM планируется полная интеграция EUV с последующим переходом на High-NA EUV. Это обеспечит компании лидерство в сегменте передовой памяти и позволит быстрее реагировать на растущий спрос на высокоплотные и энергоэффективные чипы в серверных, графических и AI-нагрузках.