Компания Samsung продолжает агрессивную экспансию на рынке полупроводников, опережая официальные релизы стандартов. Стало известно, что корейский техногигант уже отправил партнерам из Qualcomm первые инженерные образцы оперативной памяти следующего поколения LPDDR6X. Примечательно, что базовый стандарт LPDDR6 еще даже не поступил в коммерческую продажу, но производитель уже активно продвигает его улучшенные производные версии для будущих флагманских устройств.
Согласно утечкам, новая память предназначена для перспективных платформ. Ожидается, что LPDDR6X станет неотъемлемой частью чипа AI250, релиз которого запланирован на 2027 год. Такое заблаговременное тестирование позволяет Qualcomm заранее оптимизировать архитектуру своих будущих процессоров под экстремальные скорости передачи данных.
Параллельно с этим Samsung раскрыла впечатляющие характеристики памяти HBM4. Новые модули будут производиться с использованием 4-нанометрового логического слоя и обеспечат пропускную способность до 3,3 ТБ/с на один стек. Емкость таких сборок достигнет 48 ГБ при сниженном на 30% тепловыделении и улучшенной на 40% энергоэффективности по сравнению с прошлым поколением.