Samsung отложила массовое производство памяти HBM5E на неопределенный срок. Причиной стали низкие показатели выхода чипов при использовании технологии D1d DRAM, которая является основой для следующего поколения высокоскоростной памяти.
По данным источников, компания уже получила предварительное одобрение на запуск, однако текущая эффективность производства не соответствует внутренним требованиям. В результате Samsung сосредоточилась на доработке техпроцесса и повышении стабильности производства перед началом масштабного выпуска.
HBM5E должна стать ключевым элементом будущих AI-систем и использоваться в ускорителях нового поколения. На фоне задержек усиливается конкуренция со стороны SK hynix, которая уже демонстрирует более стабильные показатели. Сроки возобновления производства пока не называются.