Тайваньские учёные создали быструю и надёжную память для будущих смартфонов и ИИ

Учёные из Тайваня, совместно с крупнейшими университетами и производителем чипов TSMC, разработали новый тип компьютерной памяти, который сочетает высокую скорость, энергоэффективность и долгий срок хранения данных. Это может серьёзно повлиять на развитие смартфонов, систем ИИ и даже автомобильной электроники.

Речь идёт о технологии SOT-MRAM — это современный вид памяти, который способен работать так же быстро, как оперативная память, но при этом не стирается при выключении питания, как флешка. Проблема была в том, что материал, на котором основана эта память, терял свои свойства при производстве чипов. Команда учёных из Национального университета Ян Мин Чяо Тун и других организаций нашла способ сохранить этот материал стабильным, даже при нагреве.

Они создали рабочий чип с памятью на 64 килобита, который:

• Работает в 1000 раз быстрее, чем обычная флеш-память

• Не требует постоянного питания для хранения данных

• Сохраняет информацию более 10 лет

• Подходит для массового производства

Такой тип памяти может заменить существующие решения в смартфонах, ноутбуках, электромобилях и серверных центрах, особенно там, где важна экономия энергии и надёжность хранения. Тайвань делает важный шаг к будущему, в котором устройства будут работать дольше, быстрее и безопаснее.