Samsung представила новую технологию NAND-памяти, в которой используются ферроэлектрические транзисторы на базе оксидных материалов. Компания утверждает, что энергопотребление снижается до 96% по сравнению с традиционными решениями. Исследование опубликовано в Nature, в нём участвовали 34 инженера из SAIT и полупроводникового подразделения.
Ключ к снижению энергозатрат — использование оксидных полупроводников с высоким порогом включения. Эти материалы раньше считались непригодными для высокопроизводительных схем, но в многоярусной структуре NAND они эффективно блокируют утечки и уменьшают расход энергии.
NAND-память устроена как цепочка ячеек, соединённых последовательно. При росте плотности увеличивается и утечка тока — даже выключенные ячейки пропускают часть заряда. Samsung продемонстрировала, что новая структура снижает потери при записи и чтении, оставаясь стабильной при высокой плотности.
Компания уверена, что технология найдёт применение в AI-дата-центрах, мобильных устройствах и edge-системах, где особенно важно соотношение между производительностью и энергопотреблением. Для серверов это означает снижение затрат, а для мобильных устройств — увеличение времени работы.
Samsung продолжит работу над коммерческим внедрением. Следующий шаг — создание энергоэффективных решений для хранения больших массивов данных с поддержкой ИИ-приложений.