SK hynix представила HBM4 с пропускной способностью 2 ТБ/с
На технологическом симпозиуме TSMC North America компания SK hynix продемонстрировала своё лидерство в области памяти нового поколения, впервые представив широкой публике коммерческую версию HBM4. В то время как конкуренты вроде Micron и Samsung ещё находятся на стадии прототипов, SK hynix уже готовится к массовому производству HBM4 во второй половине 2025 года.
HBM4 от SK hynix предлагает впечатляющие характеристики: объём до 48 ГБ на стек, пропускную способность до 2.0 ТБ/с и скорость ввода-вывода на уровне 8.0 Гбит/с. Инженеры компании смогли добиться столь высокой плотности за счёт использования 16-слойной архитектуры стеков, соединённых с помощью технологий Advanced MR-MUF и TSV (Through Silicon Via). Это делает SK hynix первопроходцем в области столь сложной упаковки памяти.
Одновременно была продемонстрирована и новая версия HBM3E с 16 слоями, обеспечивающая до 1.2 ТБ/с пропускной способности. Этот тип памяти планируется использовать в будущих кластерах ИИ от NVIDIA под кодовым названием GB300 "Blackwell Ultra", в ожидании перехода на HBM4 в архитектуре Vera Rubin.
Помимо решений HBM, SK hynix также показала новейшие серверные модули памяти, включая RDIMM и MRDIMM, разработанные на базе DRAM стандарта 1c. Они достигают скоростей до 12,500 МБ/с, а модели MRDIMM уже предлагают пропускную способность до 12.8 Гбит/с при объёмах 64, 96 и 256 ГБ. Также была представлена 256 ГБ 3DS RDIMM для высоконагруженных дата-центров.
Очевидно, что SK hynix уверенно опережает конкурентов на рынках HBM и DRAM, за счёт стремительного внедрения инноваций и тесного сотрудничества с лидерами индустрии, такими как NVIDIA.
