Компания AMD представила новый патент, позволяющий удвоить пропускную способность памяти DDR5 без необходимости увеличивать скорость работы самого DRAM. Вместо этого применяется архитектурное решение на уровне модуля — так называемый HB-DIMM (High Bandwidth DIMM), в котором используется интеграция RCD и буферов данных для увеличения скорости обмена.
Вместо модернизации DRAM-чипов AMD внедрила ретайминг и мультиплексирование потоков, что позволяет поднять пропускную способность с 6.4 до 12.8 Гбит/с на контакт. Благодаря новым буферам и драйверам, два обычных потока данных DRAM объединяются в один быстрый поток, передаваемый процессору. Такой подход особенно эффективен при нагрузках, требующих высокой пропускной способности, включая задачи ИИ и работу интегрированной графики.
Дополнительно патент предлагает применение двойной памяти на APU, где стандартная DDR5 работает параллельно с высокоскоростной HB-DIMM. Такая система позволяет использовать стандартную память как основную, а HB-DIMM — для быстрой передачи данных, например, в задачах edge AI. Единственным очевидным недостатком пока остаются повышенные требования к питанию и охлаждению, что логично при столь высоких скоростях.
AMD уже зарекомендовала себя в области памяти, ранее разработав стандарт HBM вместе с SK Hynix. Новый подход HB-DIMM подчеркивает лидерство компании в инновациях и позволяет существенно увеличить производительность систем без необходимости менять сам DRAM.
