Samsung отчиталась о создании первого в индустрии рабочего кристалла DRAM, выполненного по техпроцессу ниже 10 нм (10a). Новая технология использует структуру ячеек 4F и вертикальные канальные транзисторы (VCT), что позволяет достичь проектных норм в диапазоне 9,5–9,7 нм.
Использование структуры 4F вместо стандартной 6F увеличивает плотность ячеек памяти на 30–50% при одновременном снижении энергопотребления. В конструкции новых модулей вместо кремния применяются материалы на основе оксида индия, галлия и цинка (IGZO), что уменьшает утечки тока в уменьшенных ячейках.
Разработку технологии планируют завершить в текущем году, а запуск массового производства намечен на 2028 год. В дальнейшем Samsung намерена совершенствовать структуру в поколениях 10b и 10c, с последующим переходом на 3D DRAM в версиях 10d, ожидаемых в 2029–2030 годах.