На конференции IEDM 2025 подразделение Intel Foundry и исследовательский центр imec представили метод интеграции 2D-транзисторов (2DFET), пригодный для массового производства. Ранее подобные устройства создавались только в лабораториях на малых образцах с использованием ручных процессов. Теперь Intel удалось перенести технологию на стандартные 300-мм кремниевые пластины и заводское оборудование.
Индустрия рассматривает 2D-материалы (дихалькогениды переходных металлов) как замену кремнию, когда тот достигнет физического предела уменьшения. Каналы таких транзисторов имеют толщину всего в несколько атомов, что позволяет сохранять контроль над током при экстремально малых размерах. В тестах Intel использовала WS₂ и MoS₂ для n-типа транзисторов и WSe₂ для p-типа.
Главным техническим достижением стала разработка бережного способа формирования контактов. Слой материала защищается многослойным стеком оксидов, после чего применяется селективное травление (дамасский метод). Это позволяет создать надежное соединение, не повреждая хрупкий 2D-канал и избегая загрязнений, что ранее было основной проблемой при попытках фабричного производства.
Несмотря на успех, технология не предназначена для ближайших поколений процессоров. Внедрение 2D-материалов ожидается не ранее второй половины 2030-х или в 2040-х годах. Сейчас работа Intel важна для раннего проектирования и создания математических моделей будущих чипов в условиях реального производства.