enfrdepluk
Search find 4120  disqus socia  tg2 f2 lin2 in2 X icon 3 y2  p2 tik steam2

Imec показала новый тип транзисторов для чипов 1 нм

Бельгийская исследовательская организация Imec представила улучшенную версию транзисторов forksheet, которую можно будет массово производить в рамках 1-нм техпроцесса. Новый подход называется outer wall forksheet и должен заменить классические GAA-транзисторы в будущих процессорах, а в перспективе подготовить почву для внедрения вертикальных CFET-архитектур.

TEM annotated crop

Ранее предложенный формат inner wall forksheet, при котором изолирующая стенка размещалась между p- и n-канальными транзисторами, оказался слишком сложным для надёжного производства. Новый дизайн перемещает стенку на границу стандартных ячеек, увеличивает её до 15 нм и даёт возможность использовать проверенные технологии и материалы, включая SiO₂.

Это позволило упростить литографию, улучшить размещение затвора и увеличить электрическую управляемость. По симуляциям, срезание изоляционной стенки на 5 нм повышает ток на 25%, а в статической памяти новая компоновка позволяет уменьшить площадь на 22% по сравнению с 2-нм GAA-решениями. Улучшенная структура также усиливает механическое напряжение в канале, что повышает подвижность зарядов и производительность.

Imec планирует использовать новый forksheet уже с A10 (1 нм) до A7 (ближе к 2030 году). Полученные технологии также будут адаптированы для CFET, где p- и n-транзисторы будут располагаться вертикально. Это делает forksheet важным переходным этапом в развитии логических чипов будущего.

Топ материалов GameGPU