UltraRAM выходит на этап промышленного производства: революционная память с долговечностью до 1000 лет
Компания Quinas Technology совместно с производителем полупроводниковых пластин IQE plc достигла важного рубежа в разработке UltraRAM — нового поколения энергоэффективной памяти, сочетающей скорость DRAM и надёжность NAND. После года совместной работы инженеры разработали промышленно масштабируемый эпитаксиальный процесс, который позволит вывести UltraRAM на уровень массового производства.
UltraRAM использует уникальную технологию резонансного туннелирования (TBRT), которая обеспечивает мгновенное переключение логических состояний памяти при минимальном энергопотреблении — менее 1 фемтоджоуля на операцию. По заявлениям разработчиков, новые чипы предлагают скорость, сравнимую с DRAM, при этом обеспечивают в 4000 раз большую долговечность, чем традиционная NAND, и способны хранить данные до 1000 лет без потери информации.
Ключевая инновация заключается в создании активных слоёв из соединений GaSb, InAs и AlSb, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Эти сверхтонкие многослойные структуры позволяют добиться уникальных характеристик энергоэффективности и долговечности. В дальнейшем для производства чипов используется стандартная полупроводниковая обработка: фотолитография, травление и сборка.
По словам CEO IQE Ютты Майер, проект открыл уникальные возможности для применения соединений нового поколения в британской микроэлектронике. Генеральный директор Quinas Technology Джеймс Эшфорт-Пук назвал успех «поворотным моментом» и подтвердил, что следующий шаг — запуск пилотного производства совместно с ведущими контрактными фабриками.
