Samsung ускоряет выпуск HBM4e для NVIDIA Rubin
amsung представила новые подробности о своей памяти HBM4e, подтвердив, что чипы обеспечат скорость выше 13 Гбит/с на пин и совокупную пропускную способность до 3.25 ТБ/с — это почти в 2.5 раза выше, чем у HBM3e. Также компания заявила о двукратном снижении энергопотребления, до менее 1.95 пДж/бит, что делает HBM4e вдвое эффективнее предшественника.
По сообщениям отраслевых изданий, толчком к разработке стало требование NVIDIA, которая нуждается в более быстрой памяти для своего будущего ускорителя Vera Rubin. Хотя спецификации JEDEC для HBM4 ограничивают скорость на уровне 8 Гбит/с, Samsung, SK hynix и Micron уже работают над превышением 10 Гбит/с по пину. Для ускорения выпуска Samsung, по данным Chosun Daily, распустила внутреннюю группу по улучшению выхода 1c DRAM, несмотря на то, что текущая выходность HBM4e всё ещё ниже 50%. Компания пропустила стандартный внутренний аудит и перешла к активной подготовке массового производства.
По данным TrendForce, Samsung также перевела базовый кристалл HBM4 на техпроцесс 4 нм FinFET, что дает преимущество как в скорости, так и в масштабе производства. Старт массового производства чипов на 10 Гбит/с ожидается к концу 2025 года.
Кроме того, Samsung отчиталась о результатах 3 квартала 2025 года: операционная прибыль составила 12.1 трлн вон ($8.5 млрд) — на 32% больше, чем год назад, и значительно выше рыночных ожиданий. Аналитики считают, что подразделение DS (полупроводники) обеспечило около 5 трлн вон ($3.5 млрд) прибыли — это более чем в 10 раз выше показателей второго квартала. Главным драйвером стали успехи литейного бизнеса, где удалось увеличить загрузку мощностей и привлечь новых заказчиков. Полный отчет ожидается 30 октября.
