SK hynix начинает массовое производство 12-слойной памяти HBM3E с ёмкостью 36 ГБ

Компания SK hynix анонсировала начало массового производства своей новой 12-слойной памяти HBM3E, предназначенной для ускорителей ИИ и вычислительных чипов общего назначения. Обновлённая память HBM3E увеличивает ёмкость до 36 ГБ на 12-слойный стек, что на 50% больше по сравнению с предыдущими 24 ГБ у 8-слойной версии. При этом толщина остаётся прежней.

HBM3E обеспечивает пропускную способность 9600 MT/s, что даёт скорость до 1.22 ТБ/с при использовании 8 стеков в одном чипе. Эти показатели делают память идеально подходящей для последних ускорителей ИИ, которые требуют высокой ёмкости и быстрого обмена данными. SK hynix подчёркивает, что HBM3E будет использоваться в новейших моделях от NVIDIA и AMD, таких как NVIDIA Blackwell Ultra и AMD Instinct MI325X, которые смогут поддерживать до 288 ГБ HBM3E.

Первоначальные поставки памяти HBM3E начались в марте, а массовые поставки ожидаются до конца года.