Kioxia и SanDisk запустили поставки 3D NAND BiCS9
Компании Kioxia и SanDisk начали пробные поставки новой флеш-памяти BiCS9, девятого поколения 3D NAND. Эта архитектура выступает промежуточным этапом между актуальной BiCS8 и грядущей BiCS10, предлагая баланс между эффективностью, производительностью и себестоимостью.
Ключевая особенность BiCS9 — это технология CBA (CMOS Bonded to Array). Она позволяет отдельно изготавливать логические и ячеистые пластины с последующим их объединением в единый чип. Благодаря такому подходу Kioxia может использовать зрелые ячеистые структуры (например, 112-слойную BiCS5 или 218-слойную BiCS8), дополняя их современным интерфейсом ввода-вывода. Полученные чипы обеспечивают скорость Toggle DDR 6.0 до 3.6 Гбит/с, с пиковыми значениями до 4.8 Гбит/с в тестовых условиях.
Несмотря на меньшее число слоёв по сравнению с BiCS8, новая память демонстрирует увеличение скорости записи на 61%, рост скорости чтения на 12% и улучшение энергоэффективности на 36% при записи и 27% при чтении. Дополнительно достигнуто повышение плотности хранения на 8%, что важно для экономически эффективных решений в сфере ИИ и облачных хранилищ.
На фоне конкурентов, делающих ставку на рост числа слоёв (Samsung, Micron), Kioxia и SanDisk выбрали путь гибридных архитектур, ориентированных на быстрый выход на рынок и снижение затрат. BiCS9 стала новой вехой в многолетнем партнёрстве двух компаний, которое началось в 2006 году и определяет развитие NAND-индустрии.
