AMD удваивает пропускную способность DDR5 без ускорения памяти
Компания AMD представила новый патент, позволяющий удвоить пропускную способность памяти DDR5 без необходимости увеличивать скорость работы самого DRAM. Вместо этого применяется архитектурное решение на уровне модуля — так называемый HB-DIMM (High Bandwidth DIMM), в котором используется интеграция RCD и буферов данных для увеличения скорости обмена.
Вместо модернизации DRAM-чипов AMD внедрила ретайминг и мультиплексирование потоков, что позволяет поднять пропускную способность с 6.4 до 12.8 Гбит/с на контакт. Благодаря новым буферам и драйверам, два обычных потока данных DRAM объединяются в один быстрый поток, передаваемый процессору. Такой подход особенно эффективен при нагрузках, требующих высокой пропускной способности, включая задачи ИИ и работу интегрированной графики.
Дополнительно патент предлагает применение двойной памяти на APU, где стандартная DDR5 работает параллельно с высокоскоростной HB-DIMM. Такая система позволяет использовать стандартную память как основную, а HB-DIMM — для быстрой передачи данных, например, в задачах edge AI. Единственным очевидным недостатком пока остаются повышенные требования к питанию и охлаждению, что логично при столь высоких скоростях.
AMD уже зарекомендовала себя в области памяти, ранее разработав стандарт HBM вместе с SK Hynix. Новый подход HB-DIMM подчеркивает лидерство компании в инновациях и позволяет существенно увеличить производительность систем без необходимости менять сам DRAM.
