Samsung представила память GDDR7 с пропускной способностью до 2720 ГБ/с
Samsung официально анонсировала выпуск своей новой GDDR7 памяти, которая станет ключевым элементом для будущих графических процессоров NVIDIA и AMD. Ожидается, что модули памяти будут коммерциализированы в начале 2025 года и предложат значительно увеличенные объемы VRAM и скорости передачи данных до 42,5 Гбит/с. Это станет важным шагом вперед по сравнению с GDDR6, предлагая прирост производительности и повышенную энергоэффективность.
В основе новых модулей GDDR7 лежит 5-нм техпроцесс Samsung, который позволяет увеличить плотность ячеек на 50%, сохраняя при этом компактные размеры пакета. Это даст возможность GPU, использующим 128-битные до 512-битные шины, достичь следующих пропускных способностей:
- 128-битная шина — до 680 ГБ/с
- 192-битная шина — до 1020 ГБ/с
- 256-битная шина — до 1360 ГБ/с
- 320-битная шина — до 1700 ГБ/с
- 384-битная шина — до 2040 ГБ/с
- 512-битная шина — до 2720 ГБ/с
Эти показатели достигнуты благодаря использованию нового стандарта передачи данных PAM3, что позволяет значительно увеличить скорость обмена данными по сравнению с предыдущими версиями GDDR6.
Ожидается, что новые графические карты, оснащенные этой памятью, смогут поддерживать до 48 ГБ VRAM на 512-битной шине, что обеспечит потрясающую производительность для высокопроизводительных вычислений, игр и AI-задач.
