Цены на модули DDR4 памяти впервые в истории превысили стоимость актуального поколения DDR5, что связано с дефицитом, прекращением производства и страхами перед торговыми ограничениями. По данным TrendForce, отдельные модули DDR4 за последнюю неделю подорожали до 40%, и в некоторых случаях их цена более чем вдвое превышает стоимость аналогичных по объёму модулей DDR5.

Средняя спотовая цена DDR4 16Gb (1Gx16) 3200 МГц от Samsung и SK hynix выросла до $12.50, а в пиковых случаях достигала $24. Для сравнения, цена модулей DDR5 2×8 ГБ на 4800/5600 МГц остаётся в районе $6–9. Это парадоксальная ситуация: устаревающая платформа памяти оказалась дороже новой из-за сокращения предложения.

Причина в том, что Micron официально объявила о завершении производства DDR4, и его свёртывание займёт 6–9 месяцев. За ней ранее последовала и Samsung, сосредоточив ресурсы на DDR5 и HBM. Даже китайская компания CXMT, достигшая пика выпуска DDR4, также начала готовиться к выходу из сегмента. На фоне ухода крупных производителей лишь тайваньская Nanya осталась среди крупных поставщиков DDR4, и теперь пожинает плоды: её запасы памяти, ранее считавшиеся обузой, стремительно дорожают.

Дополнительный фактор роста — возможные тарифные меры США против поставок DDR4 из Китая, что вызвало волну панической скупки. В случае введения пошлин цены DDR4 могут утроиться и окончательно вырваться за пределы доступного сегмента, особенно для производителей ноутбуков с поддержкой прошлых поколений процессоров.

В новой серии мобильных процессоров AMD "Gorgon Point" подтверждены характеристики моделей Ryzen AI 9 465 и Ryzen AI 9 HX 475. Согласно обновлённым данным с платформы NBD, обе модели уже фигурируют в таможенных регистрах с указанием количества ядер.

Ryzen AI 9 465 получит 10-ядерную конфигурацию, а его ID в базе данных указан как 100-000001861. Это ставит новинку в один ряд с предыдущим поколением Strix Point, в частности с моделью Ryzen AI 9 365. Таким образом, AMD продолжает использовать схожие подходы в архитектуре, развивая линейку с акцентом на ИИ-ускорение и энергоэффективность.

Ryzen AI 9 HX 475 будет оснащён 12 ядрами, что делает его преемником модели HX 375 и подтверждает использование производительного гибридного дизайна. Его идентификатор в базе — 100-000001859, и он, по всей видимости, ориентирован на премиум-сегмент ноутбуков с высокой мощностью и расширенной поддержкой ИИ-задач.

Особый интерес вызывает третья модель с ID 100-000001936, также 12-ядерная, но пока без официального имени. Она может оказаться версией Ryzen AI 9 HX 475 для корпоративного рынка (PRO-серия), либо наоборот, именно она — стандартный 475, а вторая — PRO-модель. Окончательное разделение станет ясно ближе к запуску платформы Gorgon Point, который ожидается осенью 2025 года.

Все три модели построены на платформе FP8 и сохраняют преемственность по отношению к текущим решениям Strix Point, ранее представленных на мероприятии LG. Это подтверждает, что AMD намерена сохранить высокую конкуренцию в мобильном сегменте, предлагая больше ядер и возможностей в каждом классе.

Пэт Гелсингер впервые прокомментировал своё увольнение из Intel, заявив, что решение о его уходе было принято без его согласия. Он подчеркнул, что не смог реализовать стратегию IDM 2.0 и завершить реформу Intel Foundry, начатую им четыре года назад.

На конференции в Токио Гелсингер объяснил, что «не ему принадлежало решение», отказавшись уточнить, кто именно принял его отставку — по мнению СМИ, речь идёт о совете директоров. Его стратегия IDM 2.0 предусматривала гибридную модель производства с упором на внешние фабрики и выход на конкуренцию с TSMC к 2030 году. Однако направление Intel Foundry не оправдало ожиданий, и большая часть новых техпроцессов осталась невостребованной.

Сейчас Intel меняет курс под руководством Липа Бу Тана. Компания увеличивает использование сторонних фабрик, увольняет сотрудников и готовится к запуску массового производства по техпроцессу Intel 18A. Гелсингер больше не увидит результатов своей работы, но именно они станут ключевыми для будущего Intel.

Группа учёных разработала новый тип одномолекулярного магнита, который теоретически может привести к созданию накопителей с плотностью хранения данных, превышающей современные жёсткие диски и SSD в 100 раз. Технология может применяться в дата-центрах и высокоплотных хранилищах, где каждый квадратный сантиметр пространства критически важен.

Ключевой прорыв связан с температурой стабильности магнита: новая молекула сохраняет магнитную память при 100 Кельвинах, что выше точки кипения жидкого азота (77 К), используемого для промышленного охлаждения. Ранее молекулы теряли свойства уже при 80 К, что делало их непригодными даже для дата-центров.

В основе лежит атом диспрозия, зафиксированный между двумя атомами азота и стабилизированный молекулярной «скобой» — алкеном. Такая конструкция обеспечивает необходимую жёсткость структуры и предотвращает искажения, которые могли бы разрушить магнитные свойства.

Учёные утверждают, что на основе этой молекулы можно будет создавать накопители плотностью до 3 ТБ на квадратный сантиметр. Это эквивалентно примерно 500 000 коротких видеороликов на площади размером с почтовую марку.

Хотя технология пока не готова для потребительского рынка, она открывает путь к сверхкомпактным хранилищам данных нового поколения, особенно в условиях ограниченного пространства и строгих требований к энергоэффективности в корпоративных ЦОДах.