Согласно новым данным Samsung меняет стратегию в условиях усиленной конкуренции на рынке высокоскоростной памяти. Компания перераспределяет производственные мощности от HBM3E в сторону модулей DDR5 RDIMM, что позволит высвободить до 80 000 пластин DRAM в месяц и увеличить валовую прибыль.
Хотя HBM остаётся ключевой технологией, конкуренция со стороны SK hynix и Micron вынуждает Samsung снижать цены на HBM-чипы, чтобы сохранить рыночную долю. Несмотря на сертификацию HBM3E для использования в ускорителях NVIDIA, Samsung получает на 30% меньше прибыли от HBM, чем SK hynix. Ожидается, что в 2026 году цены на HBM снизятся ещё на 30%.
Контрастом выступает рынок RDIMM: в четвёртом квартале 2025 года цена 64 ГБ DDR5 RDIMM достигла $450 при валовой прибыли более 75%, а в начале 2026 года вырастет до $480. При этом на спотовом рынке модуль оценивается уже в $780, что позволяет Samsung стремиться к цене свыше $500 за модуль, делая DDR5 гораздо выгоднее по сравнению с HBM.
Внутренняя реорганизация затрагивает 30–40% производственных линий, которые будут переведены с 1a DRAM на более современные техпроцессы 1b и 1c, где последний станет основным. Это позволит сосредоточиться на производстве DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 и GDDR7, в то время как ставка на HBM будет перенесена на перспективный HBM4, где Samsung рассчитывает вернуть технологическое лидерство.
Micron и SK hynix, в свою очередь, выигрывают от отступления Samsung в сегменте HBM3/E, увеличивая собственную долю и маржинальность в условиях ограниченного предложения.
